EL7564点击型号即可查看芯片规格书
EL7564是一个固定频率，电流模式控制直流/直流转换器，集成的N沟道功率MOSFET和一个高精度的基准。该装置集成了所有实现所需要的有源电路成本效益，用户可编程4A同步步进降压型稳压器适用于DSP内核电源使用。通过用组合稠合引线封装技术高效率同步开关架构，高功率可在不使用的离散来实现输出（13W）外部散热器。
工作原理该EL7564是由七个主要模块：1. PWM控制器2. NMOS功率FET和驱动电路3.带隙基准4.振荡器5.温度传感器6.电源良好和上电复位7.辅助电源跟踪PWM控制器的EL7564通过使用调节输出电压电流模式控制的脉冲宽度调制。三在PWM控制的主要内容是在反馈环路和参考，一个脉冲宽度调制器的占空比是由反馈误差信号，和一个滤光器来控制其平均值的逻辑电平调制器的输出。在降压（降压）转换器中，反馈环路强制时间该调制器的平均输出等于期望输出电压。不同于纯粹的电压模式控制系统，电流 -模式控制采用双反馈环路，以提供输出电压和电感电流的信息发送给控制器。电压回路最大限度地减少直流和瞬态通过调整PWM占空比的输出电压的误差响应于变化的线路或负载条件。自从输出电压是相等的时间平均的调制器的输出功率找到了比较大的LC时间常数供给应用程序通常导致低带宽和可怜的瞬态响应。通过直接监视中的变化通过一系列的感测电感器电流的电阻器的控制器的反应时间并不完全是由输出LC滤波器不限并且可以更快速地变化的电压和负载的反应条件。这种前馈的特点也简化由于交流回路补偿增加了一个零到整体环路响应。通过选择适当的电流 - 中反馈电压反馈比例总体环路响应将接近一个单极系统。由此产生的系统报价与传统的电压控制系统几大优势，其中包括简单的环路补偿，逐脉冲电流限制，线路的变化和良好的负载阶跃响应迅速反应。控制器的心脏是一个输入的直接求和比较其总电压反馈，电流反馈，斜率补偿斜坡和功率跟踪信号在一起。斜率补偿是为了防止系统发生在电流模式的不稳定拓扑操作在工作周期大于50％，而且也用于定义整个系统的开环增益。坡补偿是内部固定和500毫安优化电感纹波电流。电源跟踪无助任何输入到比较器的稳态操作。当前反馈是由获得专利的传感方案内测感测电感器中流过的电流的高侧切换时，它正在进行。在每个的开始振荡器周期的高边NMOS开关是否打开。比较器输入门关闭的最短期限大约为150ns（LEB）之后高压侧开关时导通，以允许系统来解决。前沿消隐（LEB）期间防止错误的检测电压在比较器输入端由于切换噪声。如果电感电流超过最大电流限制(ILMAX）二次过流比较器将终止高边开关时间。如果我LMAX还没有达到，来自调节器的输出得到的反馈电压FB电压VOUT然后，相对于内部反馈基准电压。所得到的误差电压被相加与电流反馈和斜率补偿斜坡。高侧开关保持开启，直到所有四个比较器输入归纳到零，此时高压侧开关被关断和低侧开关被导通。然而，在高侧开关的最大导通占空比被限制为95％。为了消除交叉传导的高侧和低侧开关一个15ns的断裂先接后使延迟在开关驱动电路并入。该输出使能（EN）输入允许稳压器的输出是由外部逻辑控制信号无效。
热管理
EL7564CM采用“熔铅”包装技术与系统电路板布局结合使用，以实现较低的比通常在标准的SO20热阻包。通过融合（或连接）多个外部引线到封装内的芯片基板，导电性很强热路径被创建到封装的外部。这导热路径必须接着被连接到热在PCB上，以便散热出下沉区和离装置。为导电通路EL7564CM包是融合线索：＃6、7、11、12、和13.如果印刷电路板的金属区域的足够量的连接到融合封装引线的结到环境的抵抗力43℃/W ，可以实现（相对于一个85℃/W标准SO20封装）。之间的一般关系印刷电路板的散热金属区和热阻这个包中显示的性能曲线段此数据表。它可以很容易地看出，热抵抗这个包接近渐近值约43℃/没有任何气流W， 33 ℃/W100 LFPM气流。更多的信息可以发现，在应用笔记＃8（测量热阻功率表面贴装封装） 。对于热关断死于135℃的结温，以及功耗1.5W ，环境温度可高达70℃的无气流。 100 LFPM气流，周围温度可以延长至85℃。
EL7564CRE采用28引脚HTSSOP封装。该大部分热量通过暴露的热垫消散在包装件的底部。因此，热垫需要被焊接到PCB上。此热敏电阻包是低至29℃/W，比SO20的更好。典型的性能示于曲线部。该实际结温可以在V进行测量TJ引脚。由于IC的热性能在很大程度上依赖于电路板布局，系统设计人员应在设计阶段演习护理，以确保IC将最坏情况下的环境条件下进行操作。
布局的注意事项
布局是非常重要的是，转换器的功能正常。电源接地和信号接地应分开，以保证在高脉冲电流电源接地不会干扰敏感的信号连接到信号地。它们仅可连接在一个点上（通常是在任一输入端的负端或输出电容器）。连接到FB引脚的走线是最敏感的追查。它必须是尽可能地短，并在“安静”的地方，最好用保护地线或SGND痕迹围绕着它。此外，旁路电容器连接至VDD针需要尽可能靠近针越好。芯片的热量通过保护地线主要消散引脚为CM包，并通过在散热垫底层为CRE包。最大化的覆铜面积围绕这些PGND引脚或隔热垫最好。在此外，在硬地面上始终是有帮助的EMI性能。该演示板布局是基于这些一个很好的例子原则。请参考EL7564应用简介的的布局。
