BTS621L1点击型号即可查看芯片规格书
BTS621L1是高侧功率开关,集成垂直功率FET,提供嵌入式保护和诊断功能。N通道垂直功率FET,带电荷泵,接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈,单片集SmartSAPMOS中技术。提供嵌入式保护功能。
特征
过载保护
目前的限制
短路保护
热关机
过压保护(包括负载突降)
感应负载的快速退磁
反向电池保护1)
欠压和过压关断
自动重启和滞后
开漏诊断输出
在ON状态下打开负载检测
CMOS兼容输入
地面损失和Vbb保护损失
静电放电(ESD)保护
绿色产品(符合RoHS标准)
AEC合格
应用
C兼容电源开关,具有12 V和24 V DC接地负载的诊断反馈所有类型的电阻,电感和电容负载
替换机电继电器,保险丝和分立电路
产品摘要
过压保护Vbb(AZ)43 V.
工作电压Vbb(on)5.0 ... 34 V.
渠道:各自
平行
导通电阻RON 10050m61527;
负载电流(ISO)IL(ISO)4.4 8.5 A
电流限制IL(SCr)8 8 A.
引脚符号功能
1 OUT1(负载,L)输出1,保护通道1的高侧功率输出
2 GND逻辑地
3 IN1输入1,在逻辑高电平信号的情况下激活通道1
4 Vbb正电源电压,
标签与此引脚短接
5 ST诊断反馈:开漏,低故障
6 IN2输入2,在逻辑高电平信号的情况下激活通道2
7 OUT2(负载,L)输出2,保护通道2的高端功率输出
状态输出图
ESD齐纳二极管:典型值6.1 V,最大5 mA;RST(ON)<380,1.6 mA,ESD齐纳二极管不是
在直流条件下用作电压钳。在该模式下操作可能导致齐纳二极管漂移电压(增加到1 V)。
电感和过压输出钳位图
VON钳位至47 V(典型值)。
开路检测:通态诊断条件:VON <RON * IL(OL); 在高
关闭状态诊断条件:VOUT> 3 V(典型值); 在低
GND断开
任何一种负载。如果输入=高,则为VOUTVIN - VIN(T +)。由于VGND> 0,没有VST =可用的低信号。