STM32F479NIH6 点击型号即可查看芯片规格书
STM32F479NIH6器件基于高性能ARM® Cortex®-M432位RISC内核，工作频率高达180MHz。Cortex®-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和一个内存保护单元（MPU），增强了应用程序的安全性。STM32F479NIH6包含高速嵌入式存储器（高达2MB的闪存、高达384KB的SRAM）、高达4KB的备份SRAM，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外设，两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。所有器件均提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用32位定时器和一个真随机数发生器(RNG)。它们还具有标准和高级通信接口。
产品型号 | STM32F479NIH6 |
描述 | IC MCU 32BIT 2MB闪存216TFBGA |
分类 | 集成电路(IC)，嵌入式-微控制器 |
制造商 | STMicroelectronics |
系列 | STM32F4 |
电压-电源(Vcc / Vdd) | 1.7V〜3.6V |
工作温度 | -40°C〜85°C(TA) |
包装/箱 | 216-TFBGA |
供应商设备包装 | 216-TFBGA(13x13) |
基本零件号 | STM32F479 |
STM32F479NIH6
产品种类 | ARM微控制器 - MCU |
系列 | STM32F479NI |
零件状态 | 活性 |
核心 | ARM Cortex M4 |
程序存储器大小 | 2 MB |
数据总线宽度 | 32 bit |
ADC分辨率 | 12 bit |
最大时钟频率 | 180 MHz |
输入/输出端数量 | 161 I/O |
数据 RAM 大小 | 384 kB |
工作电源电压 | 3.3 V |
程序存储器类型 | Flash |
数据 Ram 类型 | SRAM |
接口类型 | CAN, I2C, I2S, SAI, SDIO, SPI, UART, USART, USB |
模拟电源电压 | 3.3 V |
DAC分辨率 | 12 bit |
I/O 电压 | 3.3 V |
I / O数量 | 161 |
振荡器类型 | 内部 |
ADC通道数量 | 24 |
封装 | 托盘 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TFBGA-216 |
RoHS状态 | 符合ROHS3 |
水分敏感性水平(MSL) | 3(168小时) |
基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC内核
Cortex®-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度
支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型
实现全套DSP指令和一个存储器保护单元(MPU)
增强应用程序的安全性
集成高速嵌入式存储器(高达2MB的闪存，高达384KB的SRAM的闪存，高达4KB的备用SRAM
连接到两条APB总线的广泛的增强型I/O和外设
两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵
具有标准和高级通信接口
所有器件都提供三个12位ADC，两个DAC，一个低功耗RTC，十二个通用16位定时器，其中包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器和一个真正的随机数生成器(RNG)
STM32F479NIH6符号
STM32F479NIH6脚印
类型 | 标题 |
PDF |
意法半导体(STMicroelectronics)是一家国际性的半导体生产商，总部位于瑞士日内瓦。公司总部设在瑞士日内瓦，同时也是欧洲及中东和非洲区(EMEA)的总部。 美国总部设在德克萨斯州达拉斯市的卡罗顿;大中华暨南亚区的总部设在上海;日本及韩国区总部设在东京。意法半导体在很多不同的应用领域位列世界前茅(2)，包括工业用半导体、打印机喷头和便携设备及消费电子设备用 MEMS(微机电系统)传感器， MPEG 解码器和智能卡芯片，汽车集成电路、计算机外设和无线半导体。
