ULN2803A点击型号即可查看芯片规格书
特点
500 mA额定集电极电流ULN2803A装置为50 V，500 mA达林顿（单输出）晶体管阵列。该装置由八个NPN组成。
达林顿对具有高电压输出
高压输出：用于开关的50 V通用阴极钳位二极管
输出钳位二极管电感负载。各集电器的额定电流
与各种类型的逻辑达林顿对兼容的输入为500 mA。达林顿夫妇并联以获得更高的电流能力。
种应用包括继电器驱动器、液压锤驱动器，
继电器驱动器、灯驱动器、显示驱动器（LED和气体）放电）、线路驱动器和逻辑缓冲器。这个
液压锤驱动器ULN2803A设备有一个2.7-kΩ系列基础电阻
每个达林顿对的灯驱动器，用于直接与
显示驱动器（LED和气体放电）TTL或5-V CMOS设备。
线路驱动器设备信息（1）
逻辑缓冲器零件号包装体尺寸（nom）步进电机ULN2803ADW SOIC（18）11.55 mm×7.50 mm
详细描述
概述
这一标准设备已被证明在广泛的应用中的普遍性和通用性。这是因为集成了8个达林顿晶体管，能够沉入500毫安和宽gpio范围的能力。
ULN2803A由八对高压大电流NPN达林顿晶体管组成。所有单元功能共用发射极和集电极开路输出。为了最大限度地提高其效能，这些单位包含压制电感负载二极管。ULN2803A在每个达林顿对上都有一个串联的基极电阻，因此允许
直接使用TTL或CMOS操作，电源电压为5 V或3.3 V。ULN2803A提供解决了许多接口需求，包括电磁阀、继电器、灯、小型电机和LED。
如果应用需要的电流超过单输出的能力，则可以通过并联来适应。
输出。
功能框图
特征描述
ULN2803A的每个通道由达林顿连接的NPN晶体管组成。这种连接会产生效果一个具有很高电流增益的晶体管。非常高的β允许高输出电流驱动非常低的输入电流，基本上等同于低GPIO电压的操作。
GPIO电压通过输入端和输入端之间连接的2.7-kΩ电阻转换为基极电流。
Predriver Darlington NPN的基础。
输出和COM引脚之间连接的二极管用于抑制来自当NPN驱动器关闭（停止下沉）时激发的感应负载和线圈通过反冲二极管使反向电流流入线圈电源。
在正常工作中，基极上的二极管和集电极到发射极的插脚将反向偏压。如果这些二极管正向偏压的内部寄生NPN晶体管将从其他（附近）器件中吸取（几乎相等的）电流。
插脚。
装置功能模式
感应负载驱动
当COM引脚连接到线圈电源电压时，ULN2803A能够驱动感应负载并抑制反冲电压通过内部自由旋转二极管。
电阻负载驱动当驱动电阻负载时，COM可以不连接或连接到负载电压电源。如果是多个使用电源，连接到最高电压的电源。
应用与实施
注释
以下应用程序部分中的信息不是TI组件的一部分规范，而ti不保证其准确性或完整性。德州仪器的客户是负责确定部件是否适合其用途。客户应该验证和测试其设计实现，以确认系统功能。
申请信息
ULN2803A通常用于从单片机或逻辑设备驱动高压和/或电流外围设备。不能容忍这些条件。以下设计是ULN2803A的常见应用，驱动感应负载。这包括电机、电磁阀和继电器。每种负载类型都可以通过中看到的内容进行建模。
典型应用
详细设计程序
在线圈驱动应用中使用ULN2803A时，确定以下内容：
输入电压范围
温度范围
输出和驱动电流
功耗
驱动电流
线圈电流由线圈电压（VSUP）、线圈电阻和输出低电压（vol或VCE（SAT））。
电气特性。
功率损耗和温度
驱动线圈的数量取决于线圈电流和片上功耗。以确定可能的线圈数量，使用公式2计算ULN2803A芯片内功耗PD
n是同时激活的信道数。
voli是负载电流ili的输出引脚电压。这与VCE（SAT）（2）相同为了保证ULN2803A和系统的可靠性，芯片内功耗必须低于或等于最大允许功率耗散（pd），由公式3决定。Pd（最大）=（）t t j（max）a-qja
哪里Tj（max）是目标最高结温。
Ta是工作环境温度。
θja是封装与环境热阻的连接点。（3）
Ti建议将ULN2803A IC的模具连接温度限制在<125°C。IC连接温度为与片上功耗成正比。
电源建议
这部分不需要电源；但是，COM引脚通常与系统电源相连。
在这种情况下，确保输出电压不会严重超过COM引脚电压。这将严重的正向偏压反激二极管，导致大电流流入COM，可能损坏芯片金属或零件过热。
布局指南
由于通常用于驱动ULN2803A的低电流逻辑，薄记录道可用于输入。
注意尽可能地分离输入通道，以消除串音。TI建议使用厚记录道对于输出，为了驱动所需的高电流。线的厚度可以通过痕迹来确定。
材料的电流密度和所需的驱动电流。
因为所有的通道电流都返回到一个公共发射器，所以最好将跟踪宽度调整为宽的。有些应用需要高达2.5 A的电流。
布局示例
设备和文档支持
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商标
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静电放电注意事项
这种集成电路会被静电放电损坏。Texas Instruments建议使用适当的预防措施。不遵守正确的操作和安装程序可能导致损坏。
静电放电损伤的范围从细微的性能退化到整个设备故障。精密集成电路可能更很容易受到损坏，因为非常小的参数变化可能导致设备不符合其公布的规格。
SLYZ022-TI术语表。
本术语表列出并解释术语、缩略语和定义。
以下页面包括机械、包装和可订购信息。这个信息是最多的可用于指定设备的当前数据。本数据如有变更，恕不另行通知，也不作修改。
