CSD86330Q3D点击型号即可查看芯片规格书
产品型号 | CSD86330Q3D |
描述 | 场效应管2N-CH 25V 20A 8SON |
分类 | 分立半导体产品，晶体管-FET，MOSFET-阵列 |
制造商 | 德州仪器 |
系列 | NexFET™ |
零件状态 | 活性 |
工作温度 | -55°C〜150°C(TJ) |
包装/箱 | 8电源LDFN |
供应商设备包装 | 8-LSON(3.3x3.3) |
基本零件号 | CSD86330 |
制造商包装说明 | SON-8 |
符合欧盟RoHS | 是 |
状态 | 活性 |
接口IC类型 | 基于缓冲或逆变器的MOSFET驱动器 |
高端驱动器 | 没有 |
输入特性 | 标准 |
JESD-30代码 | S-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e3 |
功能数量 | 1个 |
端子数 | 8 |
最低工作温度 | -55℃ |
最高工作温度 | 150℃ |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装代码 | HTSON |
包装形状 | 广场 |
包装形式 | 小轮廓，散热片/塞子，薄型 |
峰值回流温度(℃) | 260 |
资格状态 | 不合格 |
座高 | 1.5毫米 |
电源电压标称 | 12.0伏 |
最大电源电压 | 22.0伏 |
功率-最大 | 6瓦 |
场效应管类型 | 2个N通道(半桥) |
场效应管功能 | 逻辑电平门 |
安装类型 | 表面贴装 |
温度等级 | 军事 |
终端完成 | 磨砂锡(Sn) |
终端表格 | 无铅 |
端子间距 | 0.65毫米 |
终端位置 | 双 |
时间@峰值回流温度-最大(秒) | 未标明 |
长度 | 3.3毫米 |
宽度 | 3.3毫米 |
RoHS状态 | 符合ROHS3 |
水分敏感性水平(MSL) | 1(无限制) |
半桥电源块
15 A时90%系统效率
高达20 A的操作
高频操作(高达1.5 MHz)
高密度– SON 3.3 mm×3.3 mm尺寸
针对5 V栅极驱动进行了优化
低开关损耗
超低电感封装
符合RoHS
无卤素
无铅端子电镀
工业
电源管理
多相同步降压转换器
POL DC-DC转换器
IMVP，VRM和VRD应用程序
同步降压转换器
高频应用
大电流，低占空比应用
德州仪器由塞瑟尔·H·格林、 J·埃里克·约翰逊、尤金·迈克尔德莫特、帕特里克·E·哈格蒂在1947年创办。最初是其母公司地球物理业务公司(Geophysical Service Incorporated, GSI)用来生产新发明的晶体管的。迈克尔德莫特是GSI最初在1930年创办时的创办者。迈克尔德莫特、格林、约翰逊后来在1941年买下了这个公司。1945年11月，帕特里克·哈格蒂被雇佣为实验室和制造部门(Laboratory and Manufacturing (L&M))部门的总经理。1951年L&M部门凭借其国防方面的合同，迅速超越了GSI的地理部门。公司被重命名为“通用仪器”(General Instrument)，同一年，公司又被再度命名为“德州仪器”，也就是它现在的名字。GSI逐渐变成了德州仪器的一个子公司，直到1988年GSI被出售给哈利伯托公司。
