MPC506AU点击型号即可查看芯片规格书
H11A817点击型号即可查看芯片规格书
KA431点击型号即可查看芯片规格书
特征
单片700V感应FET电源开关精确固定工作频率（134kHz）高级突发模式操作消耗低于0.1W在265V交流电和空载下（仅限FSD210）内部启动开关和软启动带滞后的欠压锁定（uvlo）逐脉冲电流限制过载保护（OLP）内部热关机功能（TSD）自动重启模式EMI频率调制FSD200不需要辅助偏置绕组
应用
手机、PDA和MP3的充电器和适配器白色家电、PC、C电视和显示器的辅助电源
说明
fsd200和fsd210是集成的脉冲宽度调制器（pwm）和传感fet，专门为高性能离线开关电源（SMPS）使用最少的外部组件。两种器件都是单片高压功率开关稳压器，它结合了ldmos传感fet和电压模式pwm控制块。集成的pwm控制器的特点包括：一个固定的振荡器，具有频率调制以降低emi，欠压锁定（uvlo）保护，前缘冲裁（LEB）、优化的栅极开关驱动器、热关机保护（TSD）、温度用于回路补偿和故障保护电路的补偿精密电流源。与分立mosfet和控制器或rcc开关变换器相比解决方案，fsd200和fsd210减少了总成分计数、设计尺寸、重量，同时提高效率、生产率和系统可靠性。FSD200省去了辅助偏置绕组的小型化。增加供电成本。这两个设备都是一个基本的平台，非常适合反激变换器的成本效益设计。
功能描述
1.启动：启动时，内部高压电流源提供内部偏压并向外部充电VCC电容器如图7所示。在这种情况下fsd210，当vcc达到8.7v时，设备开始切换内部高压电流源被禁用（参见图）。如果vcc不低于6.7V。对于FSD210，启动后偏置从辅助变压器绕组提供。在对于FSD200，VCC由外部高压电源和VCC通过内部高压调节器（HVREG），从而消除需要一个辅助绕组（见图）。
VCC电容器的计算是FSD200/210设计MPC506AU的重要步骤。在初始启动时FSD200／210，待机最大电流为100uA，向UVLO和VREF块供电。VCC电容器的充电电流（I）等于ISTR-100uA。之后VCC仅在偏压绕组达到UVLO启动电压向设备提供VCC电流。当偏置绕组电压不足时，VCC电平下降到UVLO停止电压。此时VCC振荡。为了防止建议调整VCC电容器的尺寸在10uf和47uf之间。2.反馈控制：fsd200/210都是电压模式设备如图8所示。通常是H11A817光耦和KA431电压基准（或FOD2741集成光耦和电压基准）用于实现隔离二次反馈网络。这个反馈电压与内部产生的锯齿波，直接控制占空比。当KA431参考引脚电压超过内部参考电压2.5V，光耦LED电流增加下拉反馈电压并降低占空比。当输入电压升高或输出负载降低。
3.前沿消隐（Leb）：在内部感测场效应管接通的瞬间，通常存在一个由初级侧引起的感应电流互感器的大电流尖峰。电容和二次侧整流二极管反向恢复。超过脉冲电流限制可能导致开关脉冲过早终止。为了抵消这种影响，fps使用了一个leading
边缘消隐（LEB）电路。此电路抑制过电压感测后短时间电流比较器FET开启。
4.保护电路：FSD200/210具有过载保护（OLP）和热关机（TSD）两种自保护功能。因为这些保护电路集成到集成电路中，没有外部组件、系统在不增加成本的情况下提高了可靠性。如果这些阈值被触发，fps开始自动重启循环。一旦故障发生，开关终止，感应场效应管保持关闭。这导致VCC。当VCC达到UVLO停止电压时（6.7V:fsd210，6V:fsd200），保护复位，并且内部高压电流源为VCC电容器充电。当vcc达到uvlo启动电压时（8.7V:fsd210,7V:fsd200），设备尝试恢复正常操作。如果故障条件不再存在启动成功。如果它仍然存在，则周期为重复（见图）。
4.1过载保护（OLP）：过载保护当负载电流由于不正常的情况如果发生这种情况，保护电路应该被触发以保护smps。有可能在正常运行情况下，可能会发生短期负荷瞬变。为了避免误停机，过载保护电路设计为延时触发。因此设备可以区分瞬时过载和真实故障条件。最大输入功率是有限的。使用逐脉冲电流限制特性。如果负载试图拉得越大，输出电压就会降到设定值。这减少了光耦LED电流进而降低光电晶体管的电流。因此，250ua电流源将对反馈管脚电容器cfb充电，而反馈电压vfb将增加。反馈比较器的输入被限制在3VV.一旦VFB达到3V，器件最大开关电源，250uA电流源被阻断，5uA震源继续向循环流化床充电。一旦VFB达到4V，开关停止，过载保护触发。这个结果关闭延迟时间由所需的时间设置为如图所示，用5uA从3vto 4vw向循环流化床装料。4.2热关机（TSD）：传感FET和控制集成电路，使控制集成电路更容易检测传感场效应管的温度。当温度超过约145℃时，热关断是激活。
5.软启动：FSD200/210具有内部软启动电路通过感应场效应管的电流逐渐增加如图所示。fsd200软启动时间为3ms/210。
6.突发操作：为了最小化待机模式下的功耗，fsd200/210实现突发模式功能（见图）。随着负荷的减少，反馈电压降低。如图所示，当反馈时设备自动进入突发模式电压低于vburl（0.58v）。此时切换停止和输出电压开始下降的速率取决于在备用电流负载下。这导致反馈电压起来。一旦通过vburh（0.64v），开关再次启动。反馈电压下降，过程重复。爆发模式操作交替启用和禁用功率感应场效应管，从而减少开关损耗
7.频率调制：EMI降低可以通过调制开关电源的开关频率来实现。频率调制可以通过扩展更宽频率范围内的能量。电磁干扰量降低与调制水平直接相关（fmod）和调制速率。如图所示，频率在4ms内从130kHz变为138kHz对于FSD200/FSD210。频率调制允许使用经济有效的电感代替交流输入模式扼流圈，以满足全球电磁干扰限制的要求。
特征
效率高（通用输入大于67%）低零负载功耗（240Vac时<100MW），带FSD210组件数量少通过各种保护功能提高系统可靠性内部软启动（3ms）低EMI频率调制关键设计说明恒压（cv）模式控制通过电阻r8、r9、r10和r11、并联调节器u2、反馈实现电容器，C9和光耦，U3。恒流（CC）模式控制采用电阻R8、R9、R15、R16、R17和R19、NPN晶体管、Q1和NTC，TH1.当电流感应电阻r15、r16和r17之间的电压为0.7v时，npn晶体管导通，并且通过光耦LED的电流增加。这降低了反馈电压和占空比。因此，输出电压降低，输出电流调节。NTC（负热系数）用于补偿晶体管Q1的温度特性。
