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CSD16323Q3是光电耦合器，靠光电晶体管输出。负载点同步降压转换器针对控制或同步FET进行了优化，描述连续漏极电流，TC = 25°C 60 A.ID连续漏极电流21 A.设计了NexFET8482;功率MOSFETIDM脉冲漏极电流，TA = 25°C（2）112 A最大限度地减少功率转换损失并进行优化PD功耗适用于5V栅极驱动应用。
特征
针对5V栅极驱动进行了优化
超低Qg和Qgd Qg栅极电荷总量（4.5V）6.2 nC
低热阻Qgd栅极充电栅极至漏极1.1 nC
雪崩额定VGS = 3V5.4mΩ
符合RoHS标准
无卤素
SON 3.3mm x 3.3mm塑料包装订购信息
负载点同步降压转换器
负载点同步降压转换器针对控制或同步FET进行了优化，描述连续漏极电流，TC = 25°C 60 A.ID连续漏极电流21 A.设计了NexFET™功率MOSFETIDM脉冲漏极电流，TA = 25°C（2）112 A最大限度地减少功率转换损失并进行优化PD功耗适用于5V栅极驱动应用。
顶视图
电气特性
参数测试条件MIN TYP MAX UNIT
静态特性
BVDSS漏极到源极电压VGS = 0V，ID =250μA25V.
IDSS漏极到源漏电流VGS = 0V，VDS = 20V1μA
IGSS栅极到源极漏电流VDS = 0V，VGS = + 10 / -8V 100nA
VGS（th）栅极到源极阈值电压VDS = VGS，ID =250μA0.91.1 1.4 V.
VGS = 3V，ID = 24A 5.47.2mΩ
RDS（on）漏极到源极导通电阻VGS = 4.5V，ID = 24A 4.45.5mΩ
VGS = 8V，ID = 24A 3.84.5mΩ
gfs跨导VDS = 12.5V，ID = 24A 108 S.
动态特征
CISS输入电容1020 1300 pF
COSS输出电容VGS = 0V，VDS = 12.5V，f = 1MHz 740 960 pF
CRSS反向传输电容50 65 pF
Rg系列栅极电阻1.42.8Ω
Qg栅极充电总量（4.5V）6.2 8.4 nC
Qgd栅极充电栅极漏极1.1 nC
VDS = 12.5V，ID = 24A
Qgs门充电源到源1.8 nC
Qg（th）栅极电荷在Vth 1 nC
QOSS输出电荷VDS = 12.5V，VGS = 0V 14 nC
td（on）打开延迟时间5.3 ns
tr上升时间V 15 ns DS = 12.5V，VGS = 4.5V ID = 24A
t RG =2Ωd（关闭）关闭延迟时间13 ns
tf下降时间6.3 ns
二极管特性
VSD二极管正向电压IS = 24A，VGS = 0V 0.85 1 V.
Qrr反向恢复电荷VDD = 12.5V，IF = 24A，di / dt = 300A /μs21nC
trr反向恢复时间VDD = 12.5V，IF = 24A，di / dt = 300A /μs16ns
热量信息
CSD16323Q3
热量表（1）（2）单位
8个PIN码
θJA结至环境热阻42.0
θJCtop结至壳体（顶部）热阻20.6
θJB结到板的热阻8.8
°C / W
ψJT结点到顶部表征参数0.3
ψJB结至电路板特性参数8.7
θJCbot结到壳（底部）热阻0
最大RθJA= 58°C / W安装在1个最小焊盘区域2时安装盎司铜。
最大RθJA= 162°C / Winch2 of 2 oz铜。
机械数据
封装尺寸图
顶视图
侧面图
底部视图
正视图
推荐的PCB图案
有关PCB设计的推荐电路布局，请参阅应用说明SLPA005 - 减少振铃PCB布局技术。
磁带和卷轴信息
笔记：
1. 10个链轮孔节距累积公差±0.2
2.外倾角不超过1mm IN 100mm，不累积超过250mm
3.材质：黑色静电耗散聚苯乙烯
4.所有尺寸均以mm为单位（除非另有说明）
5.厚度：0.30±0.05mm
6. MSL1 260°C（IR和对流）PbF回流兼容
