BUL216点击型号即可查看芯片规格书
BUL216采用高压制造Multiepitaxial Mesa技术具有成本效益高性能。它使用空心发射器
结构，以提高切换速度。BUL系列是专为照明而设计应用和低成本的开关模式电源耗材。
内部原理图
SGS-THOMSON首选SALESTYPE
NPN TRANSISTOR
高电压能力
非常高的切换速度
高操作接头
温度
高度坚固
应用
电子镇流器
荧光灯
开关模式电源
图1
图2
绝对最大额定值
符号参数值单位
VCES集电极 - 发射极电压（VBE = 0）1600 V
VCEO集电极 - 发射极电压（IB = 0）800 V.
VEBO发射极 - 基极电压（IC = 0）9 V.
IC集电极电流4 A.
ICM集电极峰值电流（tp <5 ms）6 A.
IB基本电流2 A.
IBM基准峰值电流（tp <5 ms）4 A.
Tc = 25 o时的Ptot总耗散
C 90 W
Tstg存储温度-65至150 o
C
Tj Max。 工作结温150 oC
