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2022-10-14 18:15
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STM32F303C8T6基于高性能ARM32位Cortex-M4RISC内核，工作频率高达72MHz，并嵌入了浮点单元(FPU)。包含高速嵌入式存储器(高达64KB的闪存、12KB的SRAM)，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外设。
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2022-10-14 18:15
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HMC358MS8GETR为砷化镓InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMICVCO。HMC358MS8GETR集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。
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2022-10-14 18:15
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AD8542ARZ是一款CMOS双轨到轨输入/输出放大器，具有单电源、极低的电源电流和1MHz带宽。该通用放大器保证可以在2.7V单电源和5V电源下工作。这些部件以每个放大器45µA的低电流消耗提供1MHz带宽。
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2022-10-14 18:15
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STM32F334R8T7TR基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC内核，FPU工作频率为72MHz，并嵌入了浮点单元(FPU)、内存保护单元(MPU)和嵌入式跟踪宏单元(ETM)。包含高速嵌入式存储器(512KB闪存、64KBSRAM)、用于静态存储器(SRAM、PSRAM、NOR和NAND)的灵活存储器控制器(FSMC)以及范围广泛的增强型I/O和外围设备连接到一个AHB和两个A...
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2022-10-14 18:15
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AD8551ARZ放大器具有超低偏移、漂移和偏置电流，是单、双和四路放大器，具有轨对轨输入和输出摆动。保证在2.7V到5V的单电源下工作。AD8551ARZ提供了以前仅在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中发现的优点。
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2022-10-14 18:15
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TPS55340RTER是一款采用16引脚WQFN封装的集成5A宽输入范围升压/SEPIC/反激式DC/DC稳压器。这是一款带有集成5A、40V电源开关的单片、非同步、开关稳压器。该器件可配置为多种标准开关稳压器拓扑，包括升压、SEPIC和隔离反激。
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2022-10-14 18:15
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SN74LVC1G17DBVR是一款单一施密特触发器缓冲器IC，专为1.65至5.5VVCC操作而设计。该器件包含一个缓冲器并执行布尔函数Y=A。该CMOS器件具有高输出驱动，同时在宽VCC工作范围内保持低静态功耗。
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2022-10-14 18:15
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TPS54202HDDCR是一款4.5V至28V输入电压范围的2A同步降压转换器。该器件包括两个集成开关FET、内部环路补偿和5毫秒内部软启动，以减少组件数量。通过集成MOSFET并采用SOT-23封装，TPS54202H实现了高功率密度并在PCB上提供了小尺寸。
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2022-10-14 18:15
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HMC8038LP4CE是一种高隔离、无反射、0.1GHz至6.0GHz硅单刀双掷(SPDT)开关，采用无铅表面安装封装。该交换机是蜂窝基础设施应用的理想选择，可产生高达4.0GHz的高达62dB的隔离，高达4.0GHz的低0.8dB的插入损耗，以及60dBm的输入三阶截距。功率处理在高达6.0GHz时非常出色，它为35dBm(VDD=5V)的0.1dB压缩点(P0.1dB)提供了输入功率。
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2022-10-14 18:15
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TPS1100PWR是单P沟道增强型MOSFET。该器件已通过德州仪器LinBiCMOSTM工艺针对电池供电系统中的3V或5V配电进行了优化。凭借-1.5V的最大VGS(th)和仅为0.5uA的IDSS，TPS1100PWR是低压便携式电池管理系统的理想高边开关，其中最大限度地延长电池寿命是首要考虑因素。
