元器件信息
2024-06-20 10:59
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摘要： 单n沟道MOSFET高压负载开关，具有34V可变击穿电压。
元器件信息
2024-01-23 10:43
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摘要： 特性VDSS 60V，±15.a ID, 38毫欧低导通电阻(RDS(on))， 14W功耗。
元器件信息
2023-11-01 16:33
243
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摘要： 可以驱动GaN hemt，并在一个小的6针SON封装中以7A输出电流工作。
元器件信息
2023-06-06 15:07
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摘要： ROHM Semiconductor BD34352EKV采样立体声音频D/A转换器是32位高音质立体声音频D/A转换器，对应于BD34352EKV- evk -001评估板。
元器件信息
2023-01-13 16:06
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摘要： 内置低ON电阻功率mosfet在VQFN16FV3030封装。
