元器件信息
2024-08-19 17:28
175
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设计用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关的快速开关。
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2024-08-12 17:22
277
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提供650V阻断额定电压，153pF输出电容和TO-247-4L封装。
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2024-08-06 16:31
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用于1节锂离子/聚合物电池，Smart LiB Gauge家族的一部分。
元器件信息
2024-07-12 11:06
171
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高性能双缓冲器，开路漏极输出从1.65V到5.5V供电。
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2024-07-12 11:04
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该器件是一种先进的高速CMOS 2输入与门，占地面积极小。
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2024-07-12 11:03
166
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配置为128个8位寄存器(GND的ORG引脚)或64个16位寄存器(VCC的ORG引脚)。
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2024-06-14 11:04
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摘要： 设计用于防止过流、过压、短路和过大的涌流。
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2024-06-12 14:12
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摘要： 包括动态可编程限位窗口和温度过低和过高报警功能。
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2024-06-12 14:11
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摘要： 温度传感器和SPD EEPROM，实现JEDEC TSE2004av DDR4规范。
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2024-06-12 14:07
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摘要： 实现DDR4 dimm的JEDEC JC42.4 (EE1004-v) Serial Presence Detect (SPD)规范。
