元器件信息
2024-08-12 17:22
278
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提供650V阻断额定电压，153pF输出电容和TO-247-4L封装。
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2024-06-25 16:20
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摘要： 一个80V，标准电平栅极驱动MOSFET，具有低Qrr，更高的效率和更低的尖峰。
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2024-04-09 10:28
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摘要： 小型aec - q101合格的SMD塑料封装采用Trench MOSFET技术。
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2024-03-25 16:26
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摘要： 22A, 250V低压，单配置MOSFET采用Trench技术。
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2024-03-13 15:32
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摘要： 单n沟道MOSFET采用5mm x 6mm LFPAK封装，设计紧凑高效。
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2024-03-11 16:33
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摘要： 提供-30V漏源电压，2.7毫欧 10V导通电阻和164A漏源/待机电流。
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2024-03-05 15:29
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摘要： 具有177A连续漏极电流，2.8毫欧在10V RDS(ON)和100V漏极源电压。
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2024-03-05 15:28
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摘要： 具有288A连续漏极电流，1.2毫欧在10V RDS(ON)和60V漏极源电压。
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2024-02-29 10:23
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摘要： 效率高，工作频率快，功率密度高。
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2024-02-27 16:17
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设计并符合AEC-Q101要求，提供高性能和耐用性。
