元器件信息
2024-09-18 10:55
2105
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元器件信息
2024-06-20 10:59
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摘要： 单n沟道MOSFET高压负载开关，具有34V可变击穿电压。
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2024-01-24 10:47
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摘要： 1Mbit低电流消耗串行EEPROM，具有高耐用性和高速写入周期。
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2024-01-24 10:43
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摘要： 512Kbit低电流消耗串行eeprom，具有高耐用性和高速写入周期。
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2024-01-24 10:41
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摘要： AEC-Q100合格的串行并出控制LED驱动器，额定输出电压35V。
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2024-01-23 10:43
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摘要： 特性VDSS 60V，±15.a ID, 38毫欧低导通电阻(RDS(on))， 14W功耗。
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2023-11-01 16:33
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摘要： 可以驱动GaN hemt，并在一个小的6针SON封装中以7A输出电流工作。
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2023-06-06 15:07
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摘要： ROHM Semiconductor BD34352EKV采样立体声音频D/A转换器是32位高音质立体声音频D/A转换器，对应于BD34352EKV- evk -001评估板。
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2023-04-26 15:02
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摘要： ROHM Semiconductor第四代n通道碳化硅(SiC)功率mosfet提供低导通电阻，改善了短路耐受时间。
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2023-01-13 16:06
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摘要： 内置低ON电阻功率mosfet在VQFN16FV3030封装。
