元器件信息
2024-06-20 10:59
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摘要: 单n沟道MOSFET高压负载开关,具有34V可变击穿电压。
元器件信息
2024-06-18 14:02
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摘要: 评估板载P3S0210双双向i3c总线1:2/2:1开关和电压电平转换器。
电子技术
2024-06-12 14:30
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元器件信息
2024-06-06 10:35
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摘要: 设计评估PWD5T60三相高密度功率驱动器的特性。
电子技术
2024-05-15 10:42
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电子技术
2024-05-09 11:08
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元器件信息
2024-04-09 10:25
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摘要: 提供64位平台高性能的第二代mpu。
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2024-02-22 16:04
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2024-02-20 10:18
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元器件信息
2024-01-23 10:43
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摘要: 特性VDSS 60V,±15.a ID, 38毫欧低导通电阻(RDS(on)), 14W功耗。