电子技术
2022-10-24 16:16
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本文设计了一款基于AGC芯片AD603和开关电源芯片MC34063结合的AGC控制器，巧妙利用MC34063的稳定的基准电压和动态电压调节输出接入AD603增益控制端来控制放大增益，达到系统输出幅度恒定的目的。
电子技术
2022-10-20 15:37
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该设计基于控制两级 AC/DC SMPS 的 STNRG011 IC 数位组合控制器。前端是过渡模式 PFC 预调节器，第二级是 LLC HB 谐振转换器。借助 STNRG011 IC，用户无需编写代码即可充分利用嵌入式程式和软件实现数位电源。存储在控制器非易失性存储器 (NVM) 中的一组完整参数允许对应用进行配置和微调。
电子技术
2022-10-19 15:52
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本文设计了一种温凝控制器，以温度传感器AD592、凝露传感器HDP一07作为检测元件，以四通道的集成运放LM324作为核心控制比较元件，自动对被测环境进行温度检测、控制输出和报警以及凝露保护等，克服了现有温凝控制器对设计调试维修人员对软件知识要求较高，电路结构复杂，温度反应偏差大的缺点，简化了电路结构。
电子技术
2022-10-17 11:14
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IDP2308是专门为电视电源中的开关模式电源设计的系统应用方。
元器件信息
2022-10-14 18:23
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MC9S12C32CFAE25基于48/52/80引脚闪存的MCU系列的一部分，为您提供适用于广泛通用工业和汽车网络应用的16位内核的强大功能和灵活性。片上基于带隙的电压调节器(Vreg)为2.97V至5.5V的外部电源范围生成内部数字电源电压(VDD)。包含锁相外观(PLL)电路允许调整功耗和性能。
元器件信息
2022-10-14 18:22
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STM32F427IIT6是32位ARM Cortex-M4高性能微控制器单元，具有浮点单元单精度，支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和一个内存保护单元，增强了应用程序的安全性。它集成了高速嵌入式存储器、高达4kB的备份SRAM以及广泛的增强型I/O和外围设备，这些外围设备连接到两条APB总线、两条AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
元器件信息
2022-10-14 18:22
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STM32F417IGT7提供三个12位ADC、两个DAC、低功耗RTC，十二个通用16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用32位定时器。基于高性能ARM Cortex-M4 32位RISC内核，工作频率高达168MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它们还具有标准和高级通信接口。
元器件信息
2022-10-14 18:21
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STM32F100VDT6B包含以24MHz频率运行的高性能ARM Cortex-M3 32位RISC内核、高速嵌入式存储器（高达512KB的闪存和高达32KB的SRAM）、灵活的静态存储器控制(FSMC)接口（适用于以100引脚及以上封装提供的设备）和广泛的增强型外设和连接到两条APB总线的I/O；
元器件信息
2022-10-14 18:21
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STM32F746IET6器件集成了高速嵌入式存储器和高达1MB的闪存、320KBSRAM（包括用于关键实时数据的64KB数据TCMRAM）、16KB指令TCMRAM（用于关键实时例程）、在最低功耗模式下提供4KB备份SRAM，以及连接到两条APB总线、两条AHB总线、一个32位多AHB总线矩阵和一个支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。
元器件信息
2022-10-14 18:21
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STM32F217IEH6基于高性能ARM®Cortex™-M332位RISC内核，工作频率高达120MHz。该MCU集成了高速嵌入式存储器、范围广泛的增强型I/O和连接到两条APB总线、三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵的外围设备。该器件还具有自适应实时内存加速器，可在高达120MHz的CPU频率下实现相当于从闪存执行0等待状态程序的性能。
