2023-03-12 04:00
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管
2023-03-12 03:30
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EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容
2023-03-12 02:00
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EPC新推150V封装兼容的氮化镓器件, 让高功率密度应用实现灵活设计
2023-03-12 00:30
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EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管
2023-03-11 23:30
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EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器
2023-03-06 17:00
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CES上的氮化镓应用:无线充电、无人机、激光雷达和D类功放
2023-02-25 01:30
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55所牵头!这个氮化镓项目获批国家重点研发计划项目
2023-02-16 22:30
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120亿元湖北三安光电项目一期正式投产 全部达产后年产氮化镓芯片161万片
电子技术
2022-10-17 16:06
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NCP1345是次世代高度集成的准共振Flyback, 适用于设计高性能电源转换器为了单纯adapter 或 adapter with USB-PD (type−C or type-A) , 或 openframe 等电源转换器, 包括双 VCC 架构, 允许直接连接到辅助绕组, 以进行简化 VCC 管理零件计数减少并增加性能。
电子技术
2022-10-17 11:31
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现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz,工作频率再往上升,将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大;再者Qg的大小也会影响关断速度,而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体,虽然它们比硅更难制造及更昂贵,但也具有独特的优势和优越的特性,使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。