元器件信息
2022-10-14 18:17
517
0
TLC555IDR是一款采用TILinCMOS™工艺制造的单片计时电路。该计时器与CMOS、TTL和MOS逻辑器件完全兼容,可在高达2MHz的频率下正常工作。由于输入阻抗较高,此器件可支持比NE555或LM555所支持的计时电容器更小的计时电容器。
元器件信息
2022-10-14 18:17
475
0
TL1963AKTTR是低压差(LDO)稳压器,针对快速瞬态响应进行了优化。该器件可以提供1.5A的输出电流,压差为340mV。工作静态电流为1mA,停机时降至1µA以下。静态电流得到很好的控制;与许多其他监管机构一样,它的辍学率不会上升。
元器件信息
2022-10-14 18:17
429
0
TL431ACLP是三端可调节并联稳压器,在适用的汽车级、商用级和军用级温度范围内均可满足规定的热稳定性。可以通过两个外部电阻器将输出电压设置为介于Vref(约为2.5V)和36V之间的任意值。TL431ACLP具有0.2Ω的输出阻抗典型值,有源输出电路可提供非常急剧的导通特性,从而使其在许多应用中成为齐纳二极管的出色替代品,这些应用包括板载稳压、可调节电源和开关电源。
元器件信息
2022-10-14 18:17
318
0
TLE2142IDR是使用德州仪器(TI)互补双极Excalibur工艺构建的高性能、内部补偿运算放大器。该设计包含一个输入级,可同时实现10.5nV//100-pF负载的低音频带噪声,这在快速致动器/定位驱动器中非常有用。在类似的测试条件下,达到0.01%的稳定时间为400ns。TLE2142IDR可在高达10nF的容性负载下保持稳定,尽管在此高负载水平下6MHz带宽会降低至1.8MHz。
元器件信息
2022-10-14 18:16
638
0
TPS54331DR是一款28V、3A非同步降压转换器,集成了一个低RDS(on)高边MOSFET。为了提高轻负载时的效率,会自动激活脉冲跳跃Eco模式功能。此外,1µA关断电源电流允许该器件用于电池供电应用。具有内部斜率补偿的电流模式控制简化了外部补偿计算并减少了元件数量,同时允许使用陶瓷输出电容器。
元器件信息
2022-10-14 18:16
519
0
TPS5430DDAR是一款高输出电流PWM转换器,集成了低电阻、高侧N沟道MOSFET。包含在具有所列功能区域的基板上的高性能电压误差放大器,可在瞬态条件下提供严格的电压调节精度;欠压锁定电路,以防止启动,直到输入电压达到5.5V;内部设置慢启动电路以限制浪涌电流;和电压前馈电路以改善瞬态响应。
元器件信息
2022-10-14 18:16
281
0
TLK1221RHAR为物理层接口器件执行数据串行化、解串行化和时钟提取功能。收发器以1.25Gbps(典型值)运行,通过铜缆或光学媒体接口提供高达1Gbps的数据带宽。该器件支持定义的10位接口(TBI)。在TBI模式下,串行器/解串器(SERDES)接受10位宽的8b/10b并行编码数据字节。
元器件信息
2022-10-14 18:16
1613
0
TPS54302DDCR是一款4.5V至28V输入电压范围的3A同步降压转换器。该器件包括两个集成开关FET、内部环路补偿和5ms内部软启动,以减少组件数量。通过集成MOSFET并采用SOT-23封装,TPS54302器件实现了高功率密度并在PCB上提供了小尺寸。
元器件信息
2022-10-14 18:16
281
0
TMS320F2806PZA是一款C2000™32位MCU,具有100MHz、64KB闪存、12PWM的C28x系列微控制器,任何GPIOA引脚都可以连接到三个外部内核中断之一,TMS320F2806PZA支持所有43个外设中断的外设中断扩展(PIE)块,三个32位CPU定时器,多达35个可单独编程的多路复用GPIO引脚,具有输入过滤功能。
元器件信息
2022-10-14 18:16
334
0
TMS320DM642AZDK7使用基于两级缓存的架构,并具有功能强大且多样化的外设集。一级程序缓存(L1P)是一个128-Kbit的直接映射缓存,一级数据缓存(L1D)是一个128-Kbit的2路组关联缓存。2级内存/高速缓存(L2)由程序和数据空间共享的2Mbit内存空间组成。L2内存可以配置为映射内存、缓存或两者的组合。