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2022-10-14 18:12
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HMC545AETR是采用6芯SOT26塑料封装的低成本单刀双掷开关，用于要求非常低插入损耗和非常小尺寸的一般开关应用。此设备的典型损耗为0.25dB，可以控制从直流到3.0GHz的信号，特别适合中频和射频应用，包括蜂窝/3G、ISM、汽车和便携式设备。
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2022-10-14 18:12
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STM32F103TBU7包括在72MHz频率下运行的高性能ARM®Cortex®-M332位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达128KB的闪存和高达20KB的SRAM)，以及连接到两条APB总线的一系列增强型I/O和外围设备。它提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。此设备在2.0到3...
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2022-10-14 18:12
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STM32F105R8T6包括在72MHz频率下运行的高性能ARM®Cortex®-M332位RISC内核、高速嵌入式内存(高达256KB的闪存和高达64KB的SRAM)，以及连接到两条APB总线的一系列增强型I/O和外围设备。此设备提供两个12位ADC、四个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、五个USART、一个USBOTGFS和两...
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2022-10-14 18:12
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STM32F205RGT7基于高性能ARM®Cortex®-M332位RISC内核，工作频率高达120MHz。该型号包含高速嵌入式内存(高达1MB的闪存、高达128KB的系统SRAM)、高达4KB的备份SRAM，以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵的一系列增强型I/O和外围设备。它还配备了自适应实时内存加速器(ART加速器)™)它允许在CPU频率高达120MHz的情...
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2022-10-14 18:12
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STM32F051K4U7采用了高性能的手臂皮质™-M032位RISC内核以48MHz频率运行，具有高速嵌入式存储器(高达64千字节的闪存和高达8千字节的SRAM)，以及广泛的增强型外围设备和I/O。此器件提供标准通信接口(最多两个I2C、两个SPI、一个I2S、一个HDMICEC和最多两个USART)、一个12位ADC、一个12位DAC、最多五个通用16位定时器、一个32位定时器和一个高级控制P...
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2022-10-14 18:12
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STM32F401RDT6TR基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC内核，工作频率高达84MHz。其Cortex®-M4内核具有单精度浮点单元(FPU)，支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个内存保护单元(MPU)，从而增强了应用程序的安全性。STM32F401RDT6TR包含高速嵌入式存储器(512KB的闪存，96KB的SRAM)，以及连接到两...
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2022-10-14 18:12
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STM32F051R8T7包含高性能ARM®Cortex®-M032位RISC内核，工作频率高达48MHz，高速嵌入式内存(高达64KB的闪存和8KB的SRAM)，以及一系列增强型外围设备和I/O。STM32F051R8T7提供标准通信接口(最多两个I2C、最多两个SPI、一个I2S、一个HDMICEC和最多两个USART)、一个12位ADC、一个12位DAC、六个16位定时器、一个32位定时器和...
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2022-10-14 18:12
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STM32F373VCH6基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC内核，工作频率高达72MHz，并嵌入浮点单元(FPU)、内存保护单元(MPU)和嵌入式跟踪宏单元™(ETM)。此器件包含高速嵌入式存储器(高达256KB的闪存，高达32KB的SRAM)，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。
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2022-10-14 18:12
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STM32F777VIT6基于高性能ARM®Cortex®-M732位RISC内核，工作频率高达216MHz。Cortex®-M7core具有一个浮点单元(FPU)，支持ARM®双精度和单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个内存保护单元(MPU)，从而增强了应用程序的安全性。
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2022-10-14 18:12
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STM32F373CCT7基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC内核，工作频率高达72MHz，并嵌入浮点单元(FPU)、内存保护单元(MPU)和嵌入式跟踪宏单元™(ETM)。该器件包含高速嵌入式存储器(高达256KB的闪存，高达32KB的SRAM)，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。STM32F373CCT7提供一个快速12位ADC(1MSP)、三个16位Sigm...
