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2022-11-17 10:17
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ACJT系列双向可控硅具有很高的抗大电流冲击能力，提供高dv/dt率，抗电磁干扰能力强。 特别推荐用于感性负载和电磁干扰严重的场所。且拥有多种包装，可适用于不同
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Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术，该技术根据超结原理 (SJ) 设计，并由 Inf
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2022-11-17 10:17
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AOSD622666E N沟道MOSFET采用AOS公司的Trench Power AlphaSGTTM 技术，具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD
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2022-11-17 10:17
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LRC L2N7002系列小信号MOSFET具有ESD保护，低RDS(on)，多种封装方式等特点，非常适合用于低侧负载开关，电平转换电路，DC−DC 转换器，便
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2022-11-17 10:17
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WSP4953A是性能优异的沟道P-ch MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。WSP4953A符合Ro
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本文分两部份：
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SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管
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•其漏极击穿电压为 20V V (DS) ， 100% 经过栅极电阻 (R g) 测试。 •针对 1MHz 频率阻测试，电阻值为 6Ω 。工作结温和存储温度为
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电子元器件采购网，电子元器件网上商城，唯样商城，是电子元器件采购首选的电商平台及网上商城，国内领先的电子元器件目录授权分销商，以自营现货供应电子元器件为主营业务，致力于满足客户多品种、小批量、高质量的采购需求。
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威世 VBUS05B1-SD0-G4-08 单线 ESD 保护二极管是双向对称（BiSy）ESD 保护器件，能够钳位正负过压瞬变，使之接地。VBUS05B1-S
