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2022-10-14 18:20
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XC95216-10PQ160C为高性能通用逻辑集成提供了先进的系统内编程和测试功能。所有器件都可在系统内编程，至少可进行10,000次编程/擦除循环。所有系列成员还包括广泛的LEEE1149.1(JTAG)边界扫描支持。逻辑密度范围分别为800到6,400多个可用门，分别具有36到288个寄存器。
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2022-10-14 18:20
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XC4VLX80-11FFG1148I提供-12、-11和-10速度等级，其中-12具有最高性能。适用于商业和工业级。除了工作温度范围或除非另有说明，所有DC和AC电气参数对于特定的速度等级都是相同的（即-10speed级工业设备与-10speed级商用设备相同）。但是，工业范围内可能仅提供选定的速度等级和/或设备。
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2022-10-14 18:19
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STM32F479BIT6器件基于高性能ARM® Cortex®-M432位RISC内核，工作频率高达180MHz。还包含高速嵌入式存储器（高达2MB的闪存、高达384KB的SRAM）、高达4KB的备份SRAM，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外设，两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
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2022-10-14 18:19
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STM8S105K4T6C是一款8位主流接入线微控制器单元，提供16kB闪存程序存储器，外加集成真数据EEPROM。STM8S微控制器系列参考手册(RM0016)将该系列中的器件称为中密度器件。器件具有以下优点：降低系统成本、性能和稳健性、缩短开发周期和产品寿命。由于集成了真正的数据EEPROM，可进行高达300k的写入/擦除，从而降低了系统成本周期和具有内部时钟振荡器、看门狗和掉电复位的高系统集...
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2022-10-14 18:19
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STM32F446RET6器件基于以高达180MHz的频率运行的高性能ARM Cortex-M4 32位RISC内核。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个存储器保护单元(MPU)，可增强应用程序的安全性。还集成了高速嵌入式存储器（高达512KB的闪存，高达128KB的SRAM），高达4KB的备份SRAM，以...
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2022-10-14 18:19
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XCF128XFTG64C是业界性能比较好的配置和存储设备，专门针对高性能FPGA配置进行了优化。其集成了128Mb的系统内可编程闪存存储和性能特性，用于在一个小尺寸FT64封装内进行配置。开机突发读取模式和专用I/O电源使PlatformFlashXL能够与本机SelectMAP配置接口无缝配合。
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2022-10-14 18:19
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MP3V5050VC6U压阻传感器是最先进的单片信号调节硅压力传感器。该传感器结合了先进的微加工技术、薄膜金属化和双极半导体加工，以提供准确、高电平的模拟输出信号与施加的压力成正比。MP3V5050VC6U经过优化，可在P1端口上执行真空压力。
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2022-10-14 18:19
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STM32F103CBT7是一款中密度性能线STM32F1系列32位微控制器，它集成了以72MHz频率运行的高性能ARMCortex-M3RISC内核、高速嵌入式存储器（高达128kB的闪存和高达20KB的SRAM）和一个连接到两条APB总线的各种增强型外设和I/O。该器件提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准通信接口-最多两个I²C、两个SPI、三个USART、一...
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2022-10-14 18:19
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MC9S12A64CFUE是一款基于增强型HCS12 CPU的16位微控制器，采用CISC架构，最高运行频率为25MHz。该器件包含64kB内部闪存、4kB内部RAM、1kB EEPROM、8通道10位A/D转换器和91个通用I/O引脚。该器件还具有外围设备，如一个内部集成电路(IIC)总线模块、两个多可扩展控制器局域网(MSCAN)CAN2.0A/B软件兼容模块、两个串行通信接口(SCI)和一个...
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2022-10-14 18:19
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PTH04T241WAD是一款高性能10A额定非隔离电源模块。这些模块代表了流行的PTH系列电源模块的第2代，包括更小的占地面积和附加功能。经过优化，可与所有陶瓷电容器一起使用。PTH04T241WAD在2.2V至5.5V的输入电压范围内工作，需要单个电阻器将输出电压设置为0.69V至3.6V范围内的任何值。宽输入电压范围特别适用于使用2.5-V、3.3-V或5-V中间总线架构的高级计算和服务器应...
