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2022-10-14 18:16
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TPS1H100BQPWPRQ1是一款具有全方位保护的高侧电源开关，它集成有NMOS功率FET和电荷泵，专用于对各类阻性、感性和容性负载进行智能控制。精确的电流检测和可编程电流限制特性使该器件从市场中脱颖而出。
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2022-10-14 18:16
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ULN2003ADR是高电压、高电流的达林顿晶体管阵列。每个由七个NPN达林顿对组成，具有高压输出和共阴极钳位二极管，用于开关电感负载。ULN2003ADR专为与14V至25VPMOS器件配合使用而设计。
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2022-10-14 18:16
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TPS72325DBVR低压差(LDO)负电压稳压器提供了理想的功能组合以支持低噪声应用。该器件能够在–10V至–2.7V的输入电压下工作，并支持–10V至–1.2V的输出。该稳压器采用小型低成本陶瓷电容器可保持稳定，并包括启用(EN)和降噪功能(NR)功能。热短路和过流保护由内部检测和关断逻辑提供。
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2022-10-14 18:16
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STM32F417VGT7是32位ARMCortex-M4相机接口以太网MAC微控制器单元，具有浮点单元单精度，支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和一个内存保护单元，增强了应用程序的安全性。
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2022-10-14 18:16
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STM32F100RDT6BTR以24MHz频率运行的高性能ARMCortex-M332位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达512KB的闪存和高达32KB的SRAM)、灵活的静态存储器控制(FSMC)接口(适用于以100引脚及以上封装提供的设备)和广泛的增强型外设和连接到两条APB总线的I/O。
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2022-10-14 18:16
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STM32F098RCY6TR微控制器集成了以高达48MHz频率运行的高性能ARM®Cortex®-M032位RISC内核、高速嵌入式存储器(256KB闪存和32KBSRAM)以及广泛的增强型外设和I/O。该器件提供标准通信接口(两个I2C、两个SPI/一个I2S、一个HDMICEC和最多八个USART)、一个CAN、一个12位ADC、一个具有两个通道的12位DAC、七个16位定时器、一个32位定...
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2022-10-14 18:16
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STM32F302VBT6基于高性能ARMCortex-M432位RISC内核，FPU运行频率高达72MHz，内嵌浮点单元(FPU)、内存保护单元(MPU)和嵌入式跟踪宏单元(ETM)。该系列包含高速嵌入式存储器(高达256KB的闪存，高达40KB的SRAM)和范围广泛的增强型I/O和连接到两个APB总线的外围设备。
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2022-10-14 18:16
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STM32F439AIH6集成了高速嵌入式存储器(高达2MB的闪存，高达256KB的SRAM)，高达至4KB的备份SRAM，以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵的各种增强型I/O和外围设备。此器件提供三个12位ADC、两个DAC、低功耗RTC，十二个通用16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器、两个通用32位定时器、一个真随机数发生器(RNG)和一个加密加速...
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2022-10-14 18:16
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STM32F207ZCT6基于高性能ARMCortex-M332位RISC内核，工作频率高达120MHz。包含高速嵌入式存储器(高达1MB的闪存、高达128KB的系统SRAM)、高达4KB的备份SRAM，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
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2022-10-14 18:16
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STM32F439ZIY6TR基于以高达180MHz的频率运行的高性能ARMCortex-M432位RISC内核。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。
