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2022-10-14 18:17
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SPP17N80C3是一款800VCoolMOS™N沟道功率MOSFET，具有超低栅极电流。它专为高直流大电压和开关应用而设计。SPP17N80C3XKSA1输出电容(Eoss)@400V中的能量存储非常低，采用的封装是PG-TO-220-3-31，全隔离封装。
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2022-10-14 18:17
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SN74LVC2G14DBVR是施密特触发逆变器，包含两个逆变器并执行布尔函数Y=A。该设备用作两个独立的逆变器，但由于施密特作用，它可能具有不同的正向输入阈值电平(VT+)和负向(VT-)信号。该器件完全适用于使用Ioff的部分断电应用。
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2022-10-14 18:17
555
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TLC555IDR是一款采用TILinCMOS™工艺制造的单片计时电路。该计时器与CMOS、TTL和MOS逻辑器件完全兼容，可在高达2MHz的频率下正常工作。由于输入阻抗较高，此器件可支持比NE555或LM555所支持的计时电容器更小的计时电容器。
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2022-10-14 18:17
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TL074IDR是行业标准TL07x(TL071、TL072和TL074)器件的下一代版本。TL074IDR为成本敏感型应用提供了卓越的价值，具有低失调(1mV，典型值)、高压摆率(20V/µs)和正电源共模输入等特性。
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2022-10-14 18:17
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TL1963AKTTR是低压差(LDO)稳压器，针对快速瞬态响应进行了优化。该器件可以提供1.5A的输出电流，压差为340mV。工作静态电流为1mA，停机时降至1µA以下。静态电流得到很好的控制;与许多其他监管机构一样，它的辍学率不会上升。
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2022-10-14 18:17
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TLE2142IDR是使用德州仪器(TI)互补双极Excalibur工艺构建的高性能、内部补偿运算放大器。该设计包含一个输入级，可同时实现10.5nV//100-pF负载的低音频带噪声，这在快速致动器/定位驱动器中非常有用。在类似的测试条件下，达到0.01%的稳定时间为400ns。TLE2142IDR可在高达10nF的容性负载下保持稳定，尽管在此高负载水平下6MHz带宽会降低至1.8MHz。
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2022-10-14 18:17
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TL431ACLP是三端可调节并联稳压器，在适用的汽车级、商用级和军用级温度范围内均可满足规定的热稳定性。可以通过两个外部电阻器将输出电压设置为介于Vref(约为2.5V)和36V之间的任意值。TL431ACLP具有0.2Ω的输出阻抗典型值，有源输出电路可提供非常急剧的导通特性，从而使其在许多应用中成为齐纳二极管的出色替代品，这些应用包括板载稳压、可调节电源和开关电源。
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2022-10-14 18:16
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TPS5430DDAR是一款高输出电流PWM转换器，集成了低电阻、高侧N沟道MOSFET。包含在具有所列功能区域的基板上的高性能电压误差放大器，可在瞬态条件下提供严格的电压调节精度;欠压锁定电路，以防止启动，直到输入电压达到5.5V;内部设置慢启动电路以限制浪涌电流;和电压前馈电路以改善瞬态响应。
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2022-10-14 18:16
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TPS54331DR是一款28V、3A非同步降压转换器，集成了一个低RDS(on)高边MOSFET。为了提高轻负载时的效率，会自动激活脉冲跳跃Eco模式功能。此外，1µA关断电源电流允许该器件用于电池供电应用。具有内部斜率补偿的电流模式控制简化了外部补偿计算并减少了元件数量，同时允许使用陶瓷输出电容器。
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2022-10-14 18:16
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TPS54302DDCR是一款4.5V至28V输入电压范围的3A同步降压转换器。该器件包括两个集成开关FET、内部环路补偿和5ms内部软启动，以减少组件数量。通过集成MOSFET并采用SOT-23封装，TPS54302器件实现了高功率密度并在PCB上提供了小尺寸。
