元器件信息
2022-10-14 18:12
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STM32F101T8U6TR包含以36MHz频率运行的高性能ARM®Cortex®-M332位RISC内核、高速嵌入式内存(高达128KB的闪存和高达16KB的SRAM)，以及一系列连接到两条APB总线的增强型外围设备和I/O。此设备提供标准通信接口(两个I2C、两个SPI和最多三个USART)、一个12位ADC和三个通用16位定时器。
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2022-10-14 18:12
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HMC540SLP3ET是一款宽带4位硅IC数字衰减器，采用低成本无铅表面贴装封装。这种单正极控制线每比特数字衰减器利用片外交流接地电容器进行近直流操作，使其适用于各种射频和中频应用。覆盖0.1至8GHz，插入损耗通常小于1dB。衰减器位值为1(LSB)、2、4和8dB，总衰减为15dB。
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2022-10-14 18:12
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STM32F100CBT6BTR微控制器包含在24MHz频率下运行的高性能ARM®Cortex®-M332位RISC内核、高速嵌入式内存(闪存高达128千字节，SRAM高达8千字节)，以及连接到两条APB总线的各种增强型外围设备和I/O。此设备提供标准通信接口(最多两个I2C、两个SPI、一个HDMICEC和最多三个USART)、一个12位ADC、两个12位DAC、最多六个通用16位定时器和一个高...
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2022-10-14 18:12
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HMC545AETR是采用6芯SOT26塑料封装的低成本单刀双掷开关，用于要求非常低插入损耗和非常小尺寸的一般开关应用。此设备的典型损耗为0.25dB，可以控制从直流到3.0GHz的信号，特别适合中频和射频应用，包括蜂窝/3G、ISM、汽车和便携式设备。
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2022-10-14 18:12
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STM32F103TBU7包括在72MHz频率下运行的高性能ARM®Cortex®-M332位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达128KB的闪存和高达20KB的SRAM)，以及连接到两条APB总线的一系列增强型I/O和外围设备。它提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。此设备在2.0到3...
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2022-10-14 18:12
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STM32F105R8T6包括在72MHz频率下运行的高性能ARM®Cortex®-M332位RISC内核、高速嵌入式内存(高达256KB的闪存和高达64KB的SRAM)，以及连接到两条APB总线的一系列增强型I/O和外围设备。此设备提供两个12位ADC、四个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、五个USART、一个USBOTGFS和两...
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2022-10-14 18:12
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STM32F205RGT7基于高性能ARM®Cortex®-M332位RISC内核，工作频率高达120MHz。该型号包含高速嵌入式内存(高达1MB的闪存、高达128KB的系统SRAM)、高达4KB的备份SRAM，以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵的一系列增强型I/O和外围设备。它还配备了自适应实时内存加速器(ART加速器)™)它允许在CPU频率高达120MHz的情...
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2022-10-14 18:12
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STM32F051K4U7采用了高性能的手臂皮质™-M032位RISC内核以48MHz频率运行，具有高速嵌入式存储器(高达64千字节的闪存和高达8千字节的SRAM)，以及广泛的增强型外围设备和I/O。此器件提供标准通信接口(最多两个I2C、两个SPI、一个I2S、一个HDMICEC和最多两个USART)、一个12位ADC、一个12位DAC、最多五个通用16位定时器、一个32位定时器和一个高级控制P...
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2022-10-14 18:12
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STM32F401RDT6TR基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC内核，工作频率高达84MHz。其Cortex®-M4内核具有单精度浮点单元(FPU)，支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个内存保护单元(MPU)，从而增强了应用程序的安全性。STM32F401RDT6TR包含高速嵌入式存储器(512KB的闪存，96KB的SRAM)，以及连接到两...
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2022-10-14 18:12
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STM32F373VCH6基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC内核，工作频率高达72MHz，并嵌入浮点单元(FPU)、内存保护单元(MPU)和嵌入式跟踪宏单元™(ETM)。此器件包含高速嵌入式存储器(高达256KB的闪存，高达32KB的SRAM)，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。
