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2022-10-14 18:15
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TPS40200DR是一款灵活的非同步控制器，具有用于P通道FET的内置200mA驱动器。该电路可在高达52V的输入下工作，并具有在外部FET完全开启后关闭驱动器电流的省电功能。此功能扩展了器件的灵活性，使其能够在高达52V的输入电压下运行，而不会消耗过多的功率。
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2022-10-14 18:15
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TPS54320RHLR是一款功能齐全的17V、3A同步降压转换器，通过高效率和集成的高侧和低侧MOSFET针对小型设计进行了优化。通过电流模式控制进一步节省空间，从而降低元件数量，并通过选择高开关频率，减少电感器的占位面积。输出电压启动斜坡由SS/TR引脚控制，该引脚允许在独立电源或跟踪情况下运行。
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2022-10-14 18:15
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TPS62170DSGR是易于使用的同步降压DC-DC转换器，针对高功率密度应用进行了优化。典型值为2.25MHz的高开关频率允许使用小型电感器，并通过利用DCS-Control™拓扑提供快速瞬态响应和高输出电压精度。凭借3V至17V的宽工作输入电压范围，此器件非常适合由锂离子或其他电池以及12V中间电源轨供电的系统。
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2022-10-14 18:15
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TPS53015DGSR是单颗30颗电容通过5种不同类型的导通能力设计。它的主环路控制设备支持设备控制时间监控器套件。D-CAP2的主回路，无需额外补偿组件提供的瞬态控制模式55支持高电平控制模式和条件下的PWM控制模式。该器件还能够在较高的负载率条件下保持较高的效率。输出电容器和超低ESR电容器电容器。
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2022-10-14 18:15
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STM32F101ZET6存取线系列包含以36MHz频率运行的高性能ARMCortex-M332位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达512KB的闪存和高达48KB的SRAM)，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。所有器件均提供一个12位ADC、四个通用16位定时器以及标准和高级通信接口：最多两个I²C、三个SPI和五个USART。
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2022-10-14 18:15
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STM32F207VCT6运行频率高达120MHz的高性能ARMCortex-M332位RISC内核。该型号包含高速嵌入式存储器(高达1MB的闪存、高达128KB的系统SRAM)、高达4KB的备份SRAM，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外设，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
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2022-10-14 18:14
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STM32F103R8T6TR包含以72MHz频率运行的高性能ARMCortex-M332位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达128KB的闪存和高达20KB的SRAM)，以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。此器件提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I²C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。
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2022-10-14 18:14
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TPS22901YFPR是一款小型低导通电阻(rON)负载开关，具有可控导通功能。该器件包含一个P沟道MOSFET，可在1.0至3.6V的输入电压范围内工作。该开关由开/关输入(ON)控制，可直接与低压控制信号连接。
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2022-10-14 18:14
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该8引脚集成电路包含实现IEEE802.3at2型受电设备(PD)所需的所有功能。0.5Ω的低内部开关电阻与PowerPAD™封装的增强散热相结合，使该控制器能够持续处理高达0.85A的电流。TPS2378DDAR具有辅助电源检测(APD)输入，可为外部电源提供优先级适配器。
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2022-10-14 18:14
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TPS2065DBVR配电开关适用于可能遇到重容性负载和短路的应用。该器件采用70米N沟道MOSFET电源开关，适用于需要在单个封装中安装多个电源开关的配电系统。每个开关由一个逻辑使能输入控制。栅极驱动由内部电荷泵提供，该电荷泵设计用于控制电源开关的上升时间和下降时间，以最大限度地减少开关期间的电流浪涌。
