元器件信息
2024-03-13 15:32
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摘要: 单n沟道MOSFET采用5mm x 6mm LFPAK封装,设计紧凑高效。
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2024-03-11 16:33
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摘要: 提供-30V漏源电压,2.7毫欧 10V导通电阻和164A漏源/待机电流。
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2024-03-05 15:29
110
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摘要: 具有177A连续漏极电流,2.8毫欧在10V RDS(ON)和100V漏极源电压。
元器件信息
2024-03-05 15:28
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摘要: 具有288A连续漏极电流,1.2毫欧在10V RDS(ON)和60V漏极源电压。
元器件信息
2024-03-05 15:27
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摘要: TinyLogic 超高速系列器件的一部分。
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2024-03-05 15:24
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摘要: 采用硅栅CMOS技术制造。
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2024-02-29 10:23
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摘要: 效率高,工作频率快,功率密度高。
元器件信息
2024-02-27 16:14
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摘要: 用于通用逻辑应用的先进高速CMOS多功能门。
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2024-02-27 16:13
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摘要: 特点施密特触发器在SC-88封装,设计为1.65V至5.5V VCC操作。
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2024-02-26 15:10
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摘要: 在-55°C至+125°C的温度范围内,从1.65V到5.5V的电源工作。