元器件信息
2022-11-23 10:54
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SIC1182K长距离电动汽车用SiC功率器件
元器件信息
2022-11-23 10:40
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XTRINSIC FXLC95000CL智能, 运动传感平台
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2022-11-22 09:50
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DSP、FPGA、ASIC和微处理器
元器件信息
2022-11-22 09:43
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用于取代IGBT的碳化硅(SiC)MOSFET 技术发展回顾
元器件信息
2022-11-17 10:23
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ROHM N沟道SiC功率MOSFET在开关时不会产生尾电流,因此动作较快并能减少开关损耗。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保电容和栅极电荷较低。与导通电阻
元器件信息
2022-11-17 10:17
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RGWxx65C系列是一个内置SiC肖特基势垒二极管的650V IGBT,降低了开关损耗。符合AEC-Q101标准的产品,即使在xEV车载充电器、DC/DC转换
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2022-11-17 10:16
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SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管
电子技术
2022-10-17 11:31
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现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz,工作频率再往上升,将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大;再者Qg的大小也会影响关断速度,而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体,虽然它们比硅更难制造及更昂贵,但也具有独特的优势和优越的特性,使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。