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2022-10-14 18:15
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SN74LVC1G17DBVR是一款单一施密特触发器缓冲器IC，专为1.65至5.5VVCC操作而设计。该器件包含一个缓冲器并执行布尔函数Y=A。该CMOS器件具有高输出驱动，同时在宽VCC工作范围内保持低静态功耗。
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2022-10-14 18:15
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HMC8038LP4CE是一种高隔离、无反射、0.1GHz至6.0GHz硅单刀双掷(SPDT)开关，采用无铅表面安装封装。该交换机是蜂窝基础设施应用的理想选择，可产生高达4.0GHz的高达62dB的隔离，高达4.0GHz的低0.8dB的插入损耗，以及60dBm的输入三阶截距。功率处理在高达6.0GHz时非常出色，它为35dBm(VDD=5V)的0.1dB压缩点(P0.1dB)提供了输入功率。
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2022-10-14 18:15
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TPS54202HDDCR是一款4.5V至28V输入电压范围的2A同步降压转换器。该器件包括两个集成开关FET、内部环路补偿和5毫秒内部软启动，以减少组件数量。通过集成MOSFET并采用SOT-23封装，TPS54202H实现了高功率密度并在PCB上提供了小尺寸。
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2022-10-14 18:15
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TPS1100PWR是单P沟道增强型MOSFET。该器件已通过德州仪器LinBiCMOSTM工艺针对电池供电系统中的3V或5V配电进行了优化。凭借-1.5V的最大VGS(th)和仅为0.5uA的IDSS，TPS1100PWR是低压便携式电池管理系统的理想高边开关，其中最大限度地延长电池寿命是首要考虑因素。
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2022-10-14 18:15
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TPS61196PWPR为LCD电视背光提供高度集成的解决方案，每个灯串都具有独立的PWM调光功能。该器件是一种电流模式升压控制器，可驱动多达六个串联多个LED的WLED灯串。每个灯串都有一个独立的电流调节器，可在±1.5%的匹配精度内提供从50mA到400mA可调的LED电流。
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2022-10-14 18:15
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TPS1120DR集成了两个独立的p沟道增强型MOSFET，这些MOSFET通过德州仪器LinBiCMOSTM工艺进行了优化，用于电池供电系统中的3V或5V配电。最大VGS(th)为-1.5V和IDSSTPS1120的电流仅为0.5uA，是低压便携式电池管理系统的理想高边开关，其中最大限度地延长电池寿命是首要考虑因素。
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STM32F746VGH6基于高性能ARM®Cortex®-M732位RISC内核，工作频率高达216MHz。Cortex®-M7内核具有单浮点单元(SFPU)精度，支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个内存保护单元(MPU)，增强了应用程序的安全性。
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2022-10-14 18:15
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TPS16630RGET是一款易于使用的正60V、6A电子保险丝，具有31mΩ集成FET。提供对负载、电源和电子保险丝本身的保护以及可调节功能，例如准确的过流保护、快速短路保护、输出压摆率控制、过压保护和欠压锁定。TPS16630RGET集成了可调输出功率限制(PLIM)功能，可简化并使其符合IEC61010-1和UL1310等标准。
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2022-10-14 18:15
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TPS16630PWPR是一款易于使用的正60V、6A电子保险丝，具有31mΩ集成FET。提供对负载、电源和电子保险丝本身的保护以及可调节功能，例如准确的过流保护、快速短路保护、输出压摆率控制、过压保护和欠压锁定。TPS16630PWPR集成了可调输出功率限制(PLIM)功能，可简化并使其符合IEC61010-1和UL1310等标准。
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2022-10-14 18:15
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TPS22965DSGR是一款单通道负载开关，可提供可配置的上升时间来尽量减小浪涌电流。此器件包括一个N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，可在0.8V至5.7V的输入电压范围内运行并可支持6A的最大持续电流。此开关由一个开/关输入(ON)控制，此输入能够直接连接低电压控制信号。
