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2022-11-17 10:17
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罗姆低门驱动电压MOSFET具有0.9伏至10伏的宽驱动类型。 这种广泛的驱动器类型范围支持从小信号到高功率的各种应用。 这些MOSFET具有与微型封装（060
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2022-11-17 10:17
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Nexperia PSMNxxx 系列N-Channel MOSFET包括标准和逻辑电平，规则和增强模式，包含LFPAK, I2PAK, TO -220，和DF
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2022-11-17 10:17
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通过改良的P沟道制程实现了更低的损耗和更可靠的启动，标准的DFN3*3封装，是用于笔记本电源适配器和电池的负载开关的理想产品。负载开关电路用于控制电源汇流排的开
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2022-11-17 10:17
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AOSD622666E N沟道MOSFET采用AOS公司的Trench Power AlphaSGTTM 技术，具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD
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2022-11-17 10:17
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LRC L2N7002系列小信号MOSFET具有ESD保护，低RDS(on)，多种封装方式等特点，非常适合用于低侧负载开关，电平转换电路，DC−DC 转换器，便
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2022-11-17 10:17
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WSP4953A是性能优异的沟道P-ch MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。WSP4953A符合Ro
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2022-11-17 10:16
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•其漏极击穿电压为 20V V (DS) ， 100% 经过栅极电阻 (R g) 测试。 •针对 1MHz 频率阻测试，电阻值为 6Ω 。工作结温和存储温度为
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2022-11-17 10:12
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该功率MOSFET使用Truesemi的先进平面条纹DMOS技术生产。 这项先进技术经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能，并在雪崩和换向模
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2022-11-17 10:12
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AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非
电子技术
2022-10-17 11:31
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现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。
