元器件信息
2024-01-23 10:43
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摘要: 特性VDSS 60V,±15.a ID, 38毫欧低导通电阻(RDS(on)), 14W功耗。
元器件信息
2024-01-17 10:05
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摘要: LT4256设计用于以受控方式打开电路板的电源电压,允许电路板安全地插入或从电源电压从10.8V到80V的带电背板上取出。
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2024-01-11 16:53
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摘要: 提供高热性能和低1.8毫欧在10V RDS(on),以尽量减少传导损失。
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2024-01-02 11:28
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摘要: 设计紧凑,高效的设计在一个5mm x 6mm的平面引线封装。
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2023-11-20 10:38
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摘要: 具有较低的Qrr和较软的恢复体二极管,以确保有效的能源管理。
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2023-11-16 10:23
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摘要: 提供更低的开关损耗,更高的效率,减少散热器,并增加功率密度。
元器件信息
2023-11-09 10:34
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摘要: 专为升压/反激变换器设计,工作电压范围为2.5V至40V。
2023-06-06 09:00
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内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
2023-06-06 05:00
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具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍