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2022-11-17 10:16
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SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管
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•其漏极击穿电压为 20V V (DS) ， 100% 经过栅极电阻 (R g) 测试。 •针对 1MHz 频率阻测试，电阻值为 6Ω 。工作结温和存储温度为
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电子元器件采购网，电子元器件网上商城，唯样商城，是电子元器件采购首选的电商平台及网上商城，国内领先的电子元器件目录授权分销商，以自营现货供应电子元器件为主营业务，致力于满足客户多品种、小批量、高质量的采购需求。
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威世 VBUS05B1-SD0-G4-08 单线 ESD 保护二极管是双向对称（BiSy）ESD 保护器件，能够钳位正负过压瞬变，使之接地。VBUS05B1-S
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LESD9D3.3 CT5G是设计用来保护受ESD产生电压和瞬变电压的敏感元件。良好的低钳位电压，低泄漏电流，以及快速响应时间，这些特点都可以为使电路免受静电放
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ROHM RASMID瞬态电压抑制器二极管为ROHM采用击穿技术的超紧凑RASMID系列产品，拥有±8kV双向ESD防护等级。其典型应用包括蜂窝手持设备和配件、
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LESD系列ESD保护电压敏感元件，具有出色的钳位能力，低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适用于电路板空间非常宝贵的设计中的ESD保护。由于尺寸小，它适用于手
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ROHM 2Sx双极结型晶体管（BJT）设计用于工业和消费类应用。 这些BJT有PNP和NPN两种极性。 2Sx BJT器件采用多种封装，专为中等功率表面贴装应
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ROHM肖特基势垒二极管具有各种高可靠性，低损耗器件。 它们有各种包装。 肖特基二极管提供低正向电压和反向电流，具有高ESD抗性。 即使在高温下也会阻止热失控，
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Vishay SMBJxxD系列TVS采用小巧的封装并具有±3.5％容差，且可以单向使用。 SMBJxxD具有600W峰值脉冲功率能力，波形为10 /1000μ
