元器件信息
2026-07-13 14:12
7
0
对于高电流、高可用性的系统，一个更好的解决方案是用基于MOSFET的理想二极管取代肖特基二极管。
元器件信息
2024-08-12 17:22
806
0
提供650V阻断额定电压，153pF输出电容和TO-247-4L封装。
元器件信息
2024-06-25 16:20
618
0
摘要： 一个80V，标准电平栅极驱动MOSFET，具有低Qrr，更高的效率和更低的尖峰。
元器件信息
2024-04-09 10:28
664
0
摘要： 小型aec - q101合格的SMD塑料封装采用Trench MOSFET技术。
元器件信息
2024-03-25 16:26
662
0
摘要： 22A, 250V低压，单配置MOSFET采用Trench技术。
元器件信息
2024-03-13 15:32
609
0
摘要： 单n沟道MOSFET采用5mm x 6mm LFPAK封装，设计紧凑高效。
元器件信息
2024-03-11 16:33
755
0
摘要： 提供-30V漏源电压，2.7毫欧 10V导通电阻和164A漏源/待机电流。
元器件信息
2024-03-05 15:29
658
0
摘要： 具有177A连续漏极电流，2.8毫欧在10V RDS(ON)和100V漏极源电压。
元器件信息
2024-03-05 15:28
638
0
摘要： 具有288A连续漏极电流，1.2毫欧在10V RDS(ON)和60V漏极源电压。
元器件信息
2024-02-29 10:23
756
0
摘要： 效率高，工作频率快，功率密度高。
