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2022-10-14 18:15
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TPS60400DBVR是一款具有可变开关频率的60mA电荷泵电压逆变器。该器件从1.6至5.5V的输入电压产生未经调节的负输出电压。它通常由5或3.3V的预调节电源轨供电。由于其宽输入电压范围,两个或三个NiCd、NiMH或碱性电池以及一个锂离子电池也可以为其供电。
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2022-10-14 18:15
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TPS54331DDAR是一款28V、3A非同步降压转换器,集成了低RDS(on)高边MOSFET。为了提高轻负载时的效率,会自动激活跳脉冲Eco模式功能。此外,1µA的关断电源电流允许该器件用于电池供电的应用。
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2022-10-14 18:15
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STM32F205RCT6是一款基于ARM的32位微控制器单元,具有自适应实时存储器加速器,可在高达120MHz的CPU频率下实现相当于从闪存执行0等待状态程序的性能。它基于以120MHz频率运行的高性能ARM®Cortex®-M332位RISC内核。
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2022-10-14 18:15
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TPS53015DGSR是单颗30颗电容通过5种不同类型的导通能力设计。它的主环路控制设备支持设备控制时间监控器套件。D-CAP2的主回路,无需额外补偿组件提供的瞬态控制模式55支持高电平控制模式和条件下的PWM控制模式。该器件还能够在较高的负载率条件下保持较高的效率。输出电容器和超低ESR电容器电容器。
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2022-10-14 18:15
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STM32F207IFT6基于运行频率高达120MHz的高性能ARMCortex-M332位RISC内核。该型号包含高速嵌入式存储器(高达1MB的闪存、高达128KB的系统SRAM)、高达4KB的备份SRAM,以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外设,三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
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2022-10-14 18:15
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STM32F101ZET6存取线系列包含以36MHz频率运行的高性能ARMCortex-M332位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达512KB的闪存和高达48KB的SRAM),以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。所有器件均提供一个12位ADC、四个通用16位定时器以及标准和高级通信接口:最多两个I²C、三个SPI和五个USART。
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2022-10-14 18:15
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STM32F207VCT6运行频率高达120MHz的高性能ARMCortex-M332位RISC内核。该型号包含高速嵌入式存储器(高达1MB的闪存、高达128KB的系统SRAM)、高达4KB的备份SRAM,以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外设,三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。
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2022-10-14 18:14
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STM32F072CBY6TR微控制器集成了以48MHz频率运行的高性能ARMCortex-M032位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达128KB的闪存和16KB的SRAM)以及广泛的增强型外围设备和I/O。此设备提供标准通信接口(两个I²C、两个SPI/一个I²S、一个HDMICEC和四个USART)、一个USB全速设备(无晶体)、一个CAN、一个12位ADC、一个12位DAC两个通道、七个通...
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2022-10-14 18:14
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STM32F207VET6是一款基于ARM的32位微控制器单元,具有自适应实时存储器加速器,可在高达120MHz的CPU频率下实现相当于从闪存执行0等待状态程序的性能。它基于以120MHz频率运行的高性能ARM®Cortex®-M332位RISC内核。
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2022-10-14 18:14
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STM32F411VET6U基于高性能ARMCortex-M432位RISC内核,工作频率高达100MHz。其Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了全套DSP指令和内存保护单元(MPU),增强了应用程序的安全性。