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2022-11-17 10:17
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DO-214AA晶闸管固态保护晶闸管可保护电信设备，例如调制解调器，线卡，传真机和其他CPE。P系列设备用于使设备满足各种法规要求，包括GR 1089，ITU
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2022-11-17 10:17
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Nexperia PSMNxxx 系列N-Channel MOSFET包括标准和逻辑电平，规则和增强模式，包含LFPAK, I2PAK, TO -220，和DF
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2022-11-17 10:17
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通过改良的P沟道制程实现了更低的损耗和更可靠的启动，标准的DFN3*3封装，是用于笔记本电源适配器和电池的负载开关的理想产品。负载开关电路用于控制电源汇流排的开
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2022-11-17 10:17
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RGWxx65C系列是一个内置SiC肖特基势垒二极管的650V IGBT，降低了开关损耗。符合AEC-Q101标准的产品，即使在xEV车载充电器、DC/DC转换
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2022-11-17 10:17
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Nexperia BC817系列NPN通用晶体管，采用小型SOT-23封装，具有大电流，三种电流增益选择等特点，且符合车规AEC-Q101标准，适用于汽车电子以
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2022-11-17 10:17
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WeEn Semiconductor BT13x 四象限灵敏栅极双向可控硅是平面钝化、灵敏四象限双向可控硅，用于通用双向开关和相位控制应用，其中所有四象限都需要
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2022-11-17 10:17
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Nexperia BCX**T 80V 1A双极结型晶体管 (BJT) 采用SOT89 (SC-62) 表面贴装器件(SMD)塑料封装，具有较高的功率耗散能力。
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2022-11-17 10:17
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ACJT系列双向可控硅具有很高的抗大电流冲击能力，提供高dv/dt率，抗电磁干扰能力强。 特别推荐用于感性负载和电磁干扰严重的场所。且拥有多种包装，可适用于不同
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2022-11-17 10:17
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Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术，该技术根据超结原理 (SJ) 设计，并由 Inf
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2022-11-17 10:17
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AOSD622666E N沟道MOSFET采用AOS公司的Trench Power AlphaSGTTM 技术，具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD
