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2022-11-17 10:17
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LRC L2N7002系列小信号MOSFET具有ESD保护，低RDS(on)，多种封装方式等特点，非常适合用于低侧负载开关，电平转换电路，DC−DC 转换器，便
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WSP4953A是性能优异的沟道P-ch MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。WSP4953A符合Ro
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本文分两部份：
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SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管
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•其漏极击穿电压为 20V V (DS) ， 100% 经过栅极电阻 (R g) 测试。 •针对 1MHz 频率阻测试，电阻值为 6Ω 。工作结温和存储温度为
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电子元器件采购网，电子元器件网上商城，唯样商城，是电子元器件采购首选的电商平台及网上商城，国内领先的电子元器件目录授权分销商，以自营现货供应电子元器件为主营业务，致力于满足客户多品种、小批量、高质量的采购需求。
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威世 VBUS05B1-SD0-G4-08 单线 ESD 保护二极管是双向对称（BiSy）ESD 保护器件，能够钳位正负过压瞬变，使之接地。VBUS05B1-S
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LESD9D3.3 CT5G是设计用来保护受ESD产生电压和瞬变电压的敏感元件。良好的低钳位电压，低泄漏电流，以及快速响应时间，这些特点都可以为使电路免受静电放
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ROHM RASMID瞬态电压抑制器二极管为ROHM采用击穿技术的超紧凑RASMID系列产品，拥有±8kV双向ESD防护等级。其典型应用包括蜂窝手持设备和配件、
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LESD系列ESD保护电压敏感元件，具有出色的钳位能力，低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适用于电路板空间非常宝贵的设计中的ESD保护。由于尺寸小，它适用于手
