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2022-11-17 10:18
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ROHM BM2SC12xFP2-LBZ系列内置碳化硅MOSFET的AC/DC转换器IC是准谐振交流/直流转换器，可实现软开关和低电磁干扰 (EMI)。这些转换
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2022-11-17 10:18
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COS4426/7/8 是匹配的双功率 MOSFET 驱动器。独特的电路设计实现了高速运行，能够将 1.5A 的峰值电流输送到 1000pF 容性负载。匹配的上
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2022-11-17 10:17
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罗姆低门驱动电压MOSFET具有0.9伏至10伏的宽驱动类型。 这种广泛的驱动器类型范围支持从小信号到高功率的各种应用。 这些MOSFET具有与微型封装（060
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2022-11-17 10:17
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Nexperia PSMNxxx 系列N-Channel MOSFET包括标准和逻辑电平，规则和增强模式，包含LFPAK, I2PAK, TO -220，和DF
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2022-11-17 10:17
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通过改良的P沟道制程实现了更低的损耗和更可靠的启动，标准的DFN3*3封装，是用于笔记本电源适配器和电池的负载开关的理想产品。负载开关电路用于控制电源汇流排的开
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2022-11-17 10:17
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AOSD622666E N沟道MOSFET采用AOS公司的Trench Power AlphaSGTTM 技术，具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD
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2022-11-17 10:17
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LRC L2N7002系列小信号MOSFET具有ESD保护，低RDS(on)，多种封装方式等特点，非常适合用于低侧负载开关，电平转换电路，DC−DC 转换器，便
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2022-11-17 10:17
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WSP4953A是性能优异的沟道P-ch MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。WSP4953A符合Ro
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2022-11-17 10:16
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•其漏极击穿电压为 20V V (DS) ， 100% 经过栅极电阻 (R g) 测试。 •针对 1MHz 频率阻测试，电阻值为 6Ω 。工作结温和存储温度为
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2022-11-17 10:12
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该功率MOSFET使用Truesemi的先进平面条纹DMOS技术生产。 这项先进技术经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能，并在雪崩和换向模
