元器件信息
2024-02-29 10:23
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摘要： 效率高，工作频率快，功率密度高。
元器件信息
2024-02-27 16:17
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设计并符合AEC-Q101要求，提供高性能和耐用性。
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2024-02-07 09:43
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摘要： Vishay的SISD5300DN n沟道30 V MOSFET的翻转技术将热阻降低了+63°C/W至+56°C/W。
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2024-01-23 10:43
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摘要： 特性VDSS 60V，±15.a ID, 38毫欧低导通电阻(RDS(on))， 14W功耗。
元器件信息
2024-01-17 10:05
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摘要： LT4256设计用于以受控方式打开电路板的电源电压，允许电路板安全地插入或从电源电压从10.8V到80V的带电背板上取出。
元器件信息
2024-01-11 16:53
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摘要： 提供高热性能和低1.8毫欧在10V RDS(on)，以尽量减少传导损失。
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2024-01-02 11:28
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摘要： 设计紧凑，高效的设计在一个5mm x 6mm的平面引线封装。
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2023-11-20 10:38
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摘要： 具有较低的Qrr和较软的恢复体二极管，以确保有效的能源管理。
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2023-11-16 10:23
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摘要： 提供更低的开关损耗，更高的效率，减少散热器，并增加功率密度。
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2023-11-09 10:34
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摘要： 专为升压/反激变换器设计，工作电压范围为2.5V至40V。
